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W632GU6KB12I TR

W632GU6KB12I TR

참조 용

부품 번호 W632GU6KB12I TR
PNEDA 부품 번호 W632GU6KB12I-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,222
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W632GU6KB12I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W632GU6KB12I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W632GU6KB12I TR, W632GU6KB12I TR 데이터 시트 (총 페이지: 160, 크기: 5,667.86 KB)
PDFW632GU6KB12J 데이터 시트 표지
W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 2 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 3 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 4 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 5 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 6 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 7 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 8 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 9 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 10 W632GU6KB12J 데이터 시트 페이지 11

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  • W632GU6KB12I TR Price
  • W632GU6KB12I TR Distributor

W632GU6KB12I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-WBGA (9x13)

관심을 가질만한 제품

M24256-WMW6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

500ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

7027S25G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

108-BPGA

공급자 장치 패키지

108-PGA (30.48x30.48)

SST25VF512A-33-4C-SAE-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS25LQ016-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MR0A08BCMA35R

Everspin Technologies Inc.

제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-LFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8x8)

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BAT54CWT1G

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3403.0166.11

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IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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M29W800DT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

AD822AN

AD822AN

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BAV99

BAV99

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DS1624S+

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TOP227YN

TOP227YN

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