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W948D6KBHX5E

W948D6KBHX5E

참조 용

부품 번호 W948D6KBHX5E
PNEDA 부품 번호 W948D6KBHX5E
설명 IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,946
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W948D6KBHX5E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W948D6KBHX5E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W948D6KBHX5E, W948D6KBHX5E 데이터 시트 (총 페이지: 57, 크기: 1,090.48 KB)
PDFW948D6KBHX5I 데이터 시트 표지
W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 2 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 3 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 4 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 5 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 6 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 7 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 8 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 9 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 10 W948D6KBHX5I 데이터 시트 페이지 11

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  • W948D6KBHX5E Distributor

W948D6KBHX5E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-VFBGA (8x9)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-WFBGA

공급자 장치 패키지

48-WFBGA (6x4)

MT48LC16M16A2P-75:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

IDT71V416VS15BEGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-CABGA (9x9)

71V67603S150BGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

AT27C516-55JC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

44-PLCC (16.6x16.6)

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