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W972GG6JB-3I

W972GG6JB-3I

참조 용

부품 번호 W972GG6JB-3I
PNEDA 부품 번호 W972GG6JB-3I
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,308
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W972GG6JB-3I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W972GG6JB-3I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W972GG6JB-3I, W972GG6JB-3I 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 2,544.42 KB)
PDFW972GG6JB-3I TR 데이터 시트 표지
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  • W972GG6JB-3I Distributor

W972GG6JB-3I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간450ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-WBGA (11x13)

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

272-PBGA (27x27)

AT49LD3200B-13TC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (1M x 32, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

170ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

M95640-RMN6TP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

M29F400FT5AM6T2 TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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