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W972GG8JB-18 TR

W972GG8JB-18 TR

참조 용

부품 번호 W972GG8JB-18 TR
PNEDA 부품 번호 W972GG8JB-18-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W972GG8JB-18 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W972GG8JB-18 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W972GG8JB-18 TR, W972GG8JB-18 TR 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 2,606.11 KB)
PDFW972GG8JB-3 TR 데이터 시트 표지
W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 2 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 3 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 4 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 5 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 6 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 7 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 8 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 9 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 10 W972GG8JB-3 TR 데이터 시트 페이지 11

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W972GG8JB-18 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간350ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-WBGA (11x11.5)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

BR93L76-W

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

40-VSOP

N25Q512A81GSF40G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (128M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

IS61LP6436A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

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