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W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

참조 용

부품 번호 W978H2KBVX2E
PNEDA 부품 번호 W978H2KBVX2E
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,264
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W978H2KBVX2E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W978H2KBVX2E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W978H2KBVX2E, W978H2KBVX2E 데이터 시트 (총 페이지: 122, 크기: 4,121.3 KB)
PDFW978H6KBQX2I 데이터 시트 표지
W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 2 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 3 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 4 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 5 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 6 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 7 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 8 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 9 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 10 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 11

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  • W978H2KBVX2E Distributor

W978H2KBVX2E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-VFBGA
공급자 장치 패키지134-VFBGA (10x11.5)

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Microchip Technology

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

7134LA25PDGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

48-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

48-PDIP

71V65603S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

AT27C512R-55PI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

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