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W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

참조 용

부품 번호 W978H6KBVX2E
PNEDA 부품 번호 W978H6KBVX2E
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 18,804
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W978H6KBVX2E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W978H6KBVX2E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W978H6KBVX2E, W978H6KBVX2E 데이터 시트 (총 페이지: 122, 크기: 4,121.3 KB)
PDFW978H6KBQX2I 데이터 시트 표지
W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 2 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 3 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 4 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 5 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 6 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 7 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 8 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 9 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 10 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 11

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  • W978H6KBVX2E Distributor

W978H6KBVX2E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-VFBGA
공급자 장치 패키지134-VFBGA (10x11.5)

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

IS66WVE4M16TBLL-70BLI

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

S29GL512T11DHV023

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-T

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

BR24T01FVM-WTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

130-VFBGA

공급자 장치 패키지

130-VFBGA (8x9)

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