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W9825G6KH-5

W9825G6KH-5

참조 용

부품 번호 W9825G6KH-5
PNEDA 부품 번호 W9825G6KH-5
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W9825G6KH-5 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W9825G6KH-5
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W9825G6KH-5, W9825G6KH-5 데이터 시트 (총 페이지: 42, 크기: 852 KB)
PDFW9825G6KH-6I 데이터 시트 표지
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  • W9825G6KH-5 Distributor

W9825G6KH-5 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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