W987D2HBJX6E
참조 용
| 부품 번호 | W987D2HBJX6E |
| PNEDA 부품 번호 | W987D2HBJX6E |
| 설명 | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,564 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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W987D2HBJX6E 리소스
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W987D2HBJX6E 사양
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPSDR |
| 메모리 크기 | 128Mb (4M x 32) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 166MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 15ns |
| 접근 시간 | 5.4ns |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 90-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 90-VFBGA (8x13) |
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-TFBGA (8x8) |
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