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W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

참조 용

부품 번호 W987D6HBGX6I
PNEDA 부품 번호 W987D6HBGX6I
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,318
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W987D6HBGX6I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W987D6HBGX6I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W987D6HBGX6I, W987D6HBGX6I 데이터 시트 (총 페이지: 68, 크기: 1,470.3 KB)
PDFW987D2HBJX7E 데이터 시트 표지
W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 2 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 3 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 4 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 5 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 6 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 7 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 8 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 9 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 10 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 11

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  • W987D6HBGX6I Distributor

W987D6HBGX6I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-VFBGA (8x9)

관심을 가질만한 제품

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (10.5x13)

S98WS01GP0HFW0060C

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

M25P16-VME6TG TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFPN (MLP8) (8x6)

S25FS064SDSMFN010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FS-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

16Gb (2G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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