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W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

참조 용

부품 번호 W987D6HBGX7E TR
PNEDA 부품 번호 W987D6HBGX7E-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
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W987D6HBGX7E TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W987D6HBGX7E TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W987D6HBGX7E TR, W987D6HBGX7E TR 데이터 시트 (총 페이지: 68, 크기: 1,470.3 KB)
PDFW987D2HBJX7E 데이터 시트 표지
W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 2 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 3 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 4 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 5 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 6 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 7 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 8 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 9 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 10 W987D2HBJX7E 데이터 시트 페이지 11

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W987D6HBGX7E TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-VFBGA (8x9)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

AT29C256-15TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

MT41J256M16HA-093:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1066MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x14)

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1.866GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

0.6V, 1.1V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

70V659S12DRGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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