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W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

참조 용

부품 번호 W988D6FBGX6I
PNEDA 부품 번호 W988D6FBGX6I
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,722
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 7 - 11월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W988D6FBGX6I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W988D6FBGX6I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W988D6FBGX6I, W988D6FBGX6I 데이터 시트 (총 페이지: 64, 크기: 1,035.42 KB)
PDFW988D2FBJX7E 데이터 시트 표지
W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 2 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 3 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 4 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 5 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 6 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 7 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 8 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 9 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 10 W988D2FBJX7E 데이터 시트 페이지 11

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  • W988D6FBGX6I Distributor

W988D6FBGX6I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-VFBGA (8x9)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

Single Wire

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

M29W512GH7AN6E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

MT29F128G08CBEABL85A3WC1

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MTFC32GAPALBH-AAT ES

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-TFBGA

공급자 장치 패키지

153-TFBGA (11.5x13)

25LC080A-E/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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