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XN0F25600L

XN0F25600L

참조 용

부품 번호 XN0F25600L
PNEDA 부품 번호 XN0F25600L
설명 TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
제조업체 Panasonic Electronic Components
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XN0F25600L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호XN0F25600L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
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  • XN0F25600L Distributor

XN0F25600L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
저항-베이스 (R1)4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic80mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환200MHz
전력-최대300mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지MINI6-G1

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제조업체

Panasonic Electronic Components

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms, 10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz, 80MHz

전력-최대

125mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-665

공급자 장치 패키지

SSMini5-F2

DMA5610H0R

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

공급자 장치 패키지

SMini5-F3-B

RN1706JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-553

공급자 장치 패키지

ESV

ADC114YUQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms, 47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms, 47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

250MHz

전력-최대

270mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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SOT-363

RN2964FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

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200MHz

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