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YFZVFHTR6.2B

YFZVFHTR6.2B

참조 용

부품 번호 YFZVFHTR6.2B
PNEDA 부품 번호 YFZVFHTR6-2B
설명 ZENER DIODES (CORRESPONDS TO AEC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가
1 ---------- $1.0248
500 ---------- $0.9767
1,000 ---------- $0.9287
2,500 ---------- $0.8807
5,000 ---------- $0.8406
10,000 ---------- $0.8006
재고 있음 874
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

YFZVFHTR6.2B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호YFZVFHTR6.2B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • YFZVFHTR6.2B Distributor

YFZVFHTR6.2B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)6.12V
공차±2.53%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지TUMD2M

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전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 6.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

SMBG4731C/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

SMBG (DO-215AA)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

19 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

MMBZ4681-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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