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ZC830BTC

ZC830BTC

참조 용

부품 번호 ZC830BTC
PNEDA 부품 번호 ZC830BTC
설명 DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,150
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZC830BTC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZC830BTC
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
ZC830BTC, ZC830BTC 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 334.99 KB)
PDFZMV833BTA 데이터 시트 표지
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  • ZC830BTC Distributor

ZC830BTC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F10.5pF @ 2V, 1MHz
커패시턴스 비율6
커패시턴스 비율 조건C2/C20
전압-피크 역방향 (최대)25V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F300 @ 3V, 50MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

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커패시턴스 비율

9.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

8.3

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

MV209

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

32pF @ 3V, 1MHz

커패시턴스 비율

6.5

커패시턴스 비율 조건

C3/C25

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

공급자 장치 패키지

TO-92

BB148,135

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.75pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

15

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

BB172X

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.754pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

15

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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