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ZTX751STZ

ZTX751STZ

참조 용

부품 번호 ZTX751STZ
PNEDA 부품 번호 ZTX751STZ
설명 TRANS PNP 60V 2A E-LINE
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 7,722
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZTX751STZ 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZTX751STZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZTX751STZ, ZTX751STZ 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 369.91 KB)
PDFZTX751STZ 데이터 시트 표지
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ZTX751STZ 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 2V
전력-최대1W
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지E-Line (TO-92 compatible)

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제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

전력-최대

15W

주파수-전환

65MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-225AA

NJVMJD45H11T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 1V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

90MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

FMMT717TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

220mV @ 50mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

110MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

KSP45TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BUV27G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

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