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ZTX788ASTZ

ZTX788ASTZ

참조 용

부품 번호 ZTX788ASTZ
PNEDA 부품 번호 ZTX788ASTZ
설명 TRANS PNP 15V 3A E-LINE
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,898
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZTX788ASTZ 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZTX788ASTZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZTX788ASTZ, ZTX788ASTZ 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 52.51 KB)
PDFZTX788ASTOB 데이터 시트 표지
ZTX788ASTOB 데이터 시트 페이지 2

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ZTX788ASTZ 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic330mV @ 200mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 10mA, 1V
전력-최대1W
주파수-전환150MHz
작동 온도-55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지E-Line (TO-92 compatible)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

250nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N5088BU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JANTXV2N6058

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/502

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

전력-최대

150W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3 (TO-204AA)

KSC2310RBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 5V

전력-최대

800mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JAN2N3635UB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

-

작동 온도

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