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ZVP0545GTA

ZVP0545GTA

참조 용

부품 번호 ZVP0545GTA
PNEDA 부품 번호 ZVP0545GTA
설명 MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 286,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZVP0545GTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZVP0545GTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
ZVP0545GTA, ZVP0545GTA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 576.6 KB)
PDFZVP0545GTC 데이터 시트 표지
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  • ZVP0545GTA Distributor

ZVP0545GTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds120pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-223
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 94µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

146pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

FDP8447L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

RFD16N05LSM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

47mOhm @ 16A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPP12CNE8N G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

67A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.9mOhm @ 67A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 83µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4340pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

FQB3N40TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 55W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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5KP30A

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