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ZXMD65P02N8TA

ZXMD65P02N8TA

참조 용

부품 번호 ZXMD65P02N8TA
PNEDA 부품 번호 ZXMD65P02N8TA
설명 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMD65P02N8TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMD65P02N8TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMD65P02N8TA, ZXMD65P02N8TA 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 65.21 KB)
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  • ZXMD65P02N8TA Distributor

ZXMD65P02N8TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds960pF @ 15V
전력-최대1.75W
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V, 2600pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI6968BEDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

STS5DNF20V

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SQ9945AEY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.4W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1000A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 800A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2355nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

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