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ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

참조 용

부품 번호 ZXMHC10A07N8TC
PNEDA 부품 번호 ZXMHC10A07N8TC
설명 MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMHC10A07N8TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMHC10A07N8TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMHC10A07N8TC, ZXMHC10A07N8TC 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 721.89 KB)
PDFZXMHC10A07N8TC 데이터 시트 표지
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  • ZXMHC10A07N8TC Distributor

ZXMHC10A07N8TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)800mA, 680mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds138pF @ 60V
전력-최대870mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

745pF @ 15V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMN3190LDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

87pF @ 20V

전력-최대

320mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BUK7K17-60EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1578pF @ 25V

전력-최대

53W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

NVMFD5C680NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta), 26A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 13µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 19W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

FDS3992

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

62mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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