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ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

참조 용

부품 번호 ZXMHC6A07N8TC
PNEDA 부품 번호 ZXMHC6A07N8TC
설명 MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 95,628
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMHC6A07N8TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMHC6A07N8TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMHC6A07N8TC, ZXMHC6A07N8TC 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 732.45 KB)
PDFZXMHC6A07N8TC 데이터 시트 표지
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  • ZXMHC6A07N8TC Distributor

ZXMHC6A07N8TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.39A, 1.28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds166pF @ 40V
전력-최대870mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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FET 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 5.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

641pF @ 15V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V, 23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

전력-최대

27W (Tc), 48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SI5902DC-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

AON2801L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN (2x2)

AO4850

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 30V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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