ZXMHC6A07N8TC
참조 용
부품 번호 | ZXMHC6A07N8TC |
PNEDA 부품 번호 | ZXMHC6A07N8TC |
설명 | MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC |
제조업체 | Diodes Incorporated |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 95,628 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZXMHC6A07N8TC 리소스
브랜드 | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | ZXMHC6A07N8TC |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
데이터 시트 |
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ZXMHC6A07N8TC 사양
제조업체 | Diodes Incorporated |
시리즈 | - |
FET 유형 | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.39A, 1.28A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 166pF @ 40V |
전력-최대 | 870mW |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
공급자 장치 패키지 | 8-SOP |
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