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ZXMP10A18K

ZXMP10A18K

참조 용

부품 번호 ZXMP10A18K
PNEDA 부품 번호 ZXMP10A18K
설명 MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMP10A18K 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMP10A18K
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
ZXMP10A18K, ZXMP10A18K 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 867.38 KB)
PDFZXMP10A18K 데이터 시트 표지
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ZXMP10A18K 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs150mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26.9nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1055pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.17W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2220pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.9W (Ta), 6.57W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

+3V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-LDPAK

패키지 / 케이스

SC-83

DMP3098LDM-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

336pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-26

패키지 / 케이스

SOT-23-6

IRF6638TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta), 140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3770pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 46µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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