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ZXT10N15DE6TA

ZXT10N15DE6TA

참조 용

부품 번호 ZXT10N15DE6TA
PNEDA 부품 번호 ZXT10N15DE6TA
설명 TRANS NPN 15V 4A SOT23-6
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXT10N15DE6TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXT10N15DE6TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZXT10N15DE6TA, ZXT10N15DE6TA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 360.17 KB)
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ZXT10N15DE6TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic260mV @ 50mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 3A, 2V
전력-최대1.1W
주파수-전환120MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-23-6

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전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.4V @ 1A, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1.5A, 2V

전력-최대

40W

주파수-전환

2MHz

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Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

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장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

230V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5A, 4V

전력-최대

200W

주파수-전환

35MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Toshiba Semiconductor and Storage

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-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

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