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ZXTDB2M832TA

ZXTDB2M832TA

참조 용

부품 번호 ZXTDB2M832TA
PNEDA 부품 번호 ZXTDB2M832TA
설명 TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP
제조업체 Diodes Incorporated
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예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXTDB2M832TA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXTDB2M832TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
ZXTDB2M832TA, ZXTDB2M832TA 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 264.29 KB)
PDFZXTDB2M832TA 데이터 시트 표지
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  • ZXTDB2M832TA Distributor

ZXTDB2M832TA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)4.5A, 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대)25nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
전력-최대1.7W
주파수-전환140MHz, 180MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-MLP (3x2)

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

ZXTD2090E6TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

270mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V

전력-최대

1.1W

주파수-전환

215MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

ULN2004AID

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

100mW

주파수-전환

60MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

UMY1NTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP (Emitter Coupled)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

150mW

주파수-전환

180MHz, 140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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