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GBL06-M3/45
GBL06-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음4,284
GBL06-M3/51
GBL06-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음3,996
GBL08
GBL08

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음200
GBL08-5000M3/51
GBL08-5000M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음5,004
GBL08-5300E3/51
GBL08-5300E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음8,262
GBL08 D2G
GBL08 D2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음82,980
GBL08-E3/45
GBL08-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음1,581
GBL08-E3/51
GBL08-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음5,493
GBL08-G
GBL08-G

Comchip Technology

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBJ

  • 제조업체: Comchip Technology
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBJ
  • 공급자 장치 패키지: GBJ
재고 있음5,328
GBL08HD2G
GBL08HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음6,102
GBL08L-5306E3/45
GBL08L-5306E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음7,470
GBL08L-5701E3/45
GBL08L-5701E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음5,544
GBL08L-5701E3/51
GBL08L-5701E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음6,426
GBL08L-5701M3/45
GBL08L-5701M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음8,100
GBL08L-7000E3/45
GBL08L-7000E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음6,606
GBL08-M3/45
GBL08-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음3,490
GBL08-M3/51
GBL08-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음5,184
GBL10
GBL10

GeneSiC Semiconductor

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음2,880
GBL10 D2G
GBL10 D2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음8,028
GBL10-E3/45
GBL10-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음45
GBL10-E3/51
GBL10-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 3A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음12,678
GBL10HD2G
GBL10HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음4,212
GBL10-M3/45
GBL10-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음4,824
GBL10-M3/51
GBL10-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 1kV
  • 전류-평균 정류 (Io): 4A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 4A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음6,354
GBL201 D2G
GBL201 D2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음2,070
GBL201HD2G
GBL201HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 50V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음6,426
GBL202 D2G
GBL202 D2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음8,640
GBL202HD2G
GBL202HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 100V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음8,820
GBL203 D2G
GBL203 D2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음5,022
GBL203HD2G
GBL203HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

브리지 정류기

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 다이오드 유형: Single Phase
  • 기술: Standard
  • 전압-피크 역방향 (최대): 200V
  • 전류-평균 정류 (Io): 2A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 2A
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-SIP, GBL
  • 공급자 장치 패키지: GBL
재고 있음3,366