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Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음6,804
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절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음4,266
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DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음2,916
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DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음8,892
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DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음7,272
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DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음2,484
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DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음182,790
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DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음2,394
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DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음8,964
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DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음5,850
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DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,688
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DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 1.5A, 2.5A
  • 전류-피크 출력: 2.5A
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음8,658
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절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음3,708
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DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음6,192
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DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,274
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DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 12.2V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음7,254
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DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음8,550
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DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CSA, UR, VDE
재고 있음3,168
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DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음2,862
SI8221DC-D-ISR
SI8221DC-D-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 30kV/µs (Typ)
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 40ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 30ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 300mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 2.5V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA
  • 전압-출력 공급: 14.8V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,454
SI8230AB-B-IS
SI8230AB-B-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음8,118
SI8230AB-B-IS1
SI8230AB-B-IS1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음3,924
SI8230AB-B-IS1R
SI8230AB-B-IS1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음6,444
SI8230AB-B-ISR
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Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음8,568
SI8230AB-D-IS
SI8230AB-D-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음4,104
SI8230AB-D-IS1
SI8230AB-D-IS1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음6,108
SI8230AB-D-IS1R
SI8230AB-D-IS1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음5,238
SI8230AB-D-ISR
SI8230AB-D-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 2500Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음3,690
SI8230AD-B-IS
SI8230AD-B-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음8,478
SI8230AD-B-ISR
SI8230AD-B-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC

  • 제조업체: Silicon Labs
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 기술: Capacitive Coupling
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 공통 모드 과도 내성 (최소): 20kV/µs
  • 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대): 5.6ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns (Max)
  • 전류-출력 높음, 낮음: 250mA, 500mA
  • 전류-피크 출력: 500mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • 전압-출력 공급: 6.5V ~ 24V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
  • 승인: CQC, CSA, UR, VDE
재고 있음8,550