절연체

부품 번호	설명	재고 있음
SI8275DBD-IM1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-VDFN 공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5) 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음10,392
SI8275DBD-IM1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: * 기술: - 채널 수: - 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): - 펄스 폭 왜곡 (최대): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 전류-출력 높음, 낮음: - 전류-피크 출력: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: -	재고 있음3,672
SI8275DBD-IS1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음8,400
SI8275DBD-IS1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: * 기술: - 채널 수: - 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): - 펄스 폭 왜곡 (최대): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 전류-출력 높음, 낮음: - 전류-피크 출력: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: -	재고 있음8,964
SI8275DB-IM1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-VDFN 공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5) 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음10,044
SI8275DB-IM1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: * 기술: - 채널 수: - 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): - 펄스 폭 왜곡 (최대): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 전류-출력 높음, 낮음: - 전류-피크 출력: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: -	재고 있음4,392
SI8275DB-IS1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 IC DIGITAL ISOLATOR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: * 기술: - 채널 수: - 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): - 펄스 폭 왜곡 (최대): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 전류-출력 높음, 낮음: - 전류-피크 출력: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: -	재고 있음4,788
SI8275DB-IS1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 IC DIGITAL ISOLATOR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: * 기술: - 채널 수: - 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): - 펄스 폭 왜곡 (최대): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 전류-출력 높음, 낮음: - 전류-피크 출력: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: -	재고 있음8,586
SI8275GBD-IM1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-VDFN 공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5) 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음3,654
SI8275GBD-IM1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: * 기술: - 채널 수: - 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): - 펄스 폭 왜곡 (최대): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 전류-출력 높음, 낮음: - 전류-피크 출력: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: -	재고 있음4,410
SI8275GBD-IS1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음7,716
SI8275GBD-IS1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음2,070
SI8275GB-IM1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-VDFN 공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5) 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음10,452
SI8275GB-IM1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: * 기술: - 채널 수: - 전압-절연: - 공통 모드 과도 내성 (최소): - 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): - 펄스 폭 왜곡 (최대): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 전류-출력 높음, 낮음: - 전류-피크 출력: - 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 승인: -	재고 있음8,550
SI8275GB-IS1 Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음6,156
SI8275GB-IS1R Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 2 전압-절연: 2500Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns 상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns 전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음6,606
SI8281BC-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음8,334
SI8281BC-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음3,258
SI8281BD-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: - 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 9.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음6,264
SI8281CC-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음7,254
SI8281CC-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음2,142
SI8281CD-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: - 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 12V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음4,752
SI8282BC-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음8,010
SI8282BC-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음3,168
SI8282BD-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: - 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 9.5V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음3,960
SI8282CC-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음6,132
SI8282CC-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음8,496
SI8282CD-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC 제조업체: Silicon Labs 시리즈: - 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 12V ~ 30V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC 승인: CQC, CSA, UR, VDE	재고 있음3,384
SI8283BC-IS Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음8,424
SI8283BC-ISR Silicon Labs	절연체-게이트 드라이버 DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 제조업체: Silicon Labs 시리즈: Automotive, AEC-Q100 기술: Capacitive Coupling 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns 상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A 전류-피크 출력: 4A 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - 전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC 승인: CQC, CSA, UL, VDE	재고 있음14,472

SI8275DBD-IM1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-VDFN
공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5)
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음10,392

SI8275DBD-IM1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: *
기술: -
채널 수: -
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): -
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
펄스 폭 왜곡 (최대): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
전류-출력 높음, 낮음: -
전류-피크 출력: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: -

재고 있음3,672

SI8275DBD-IS1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음8,400

SI8275DBD-IS1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: *
기술: -
채널 수: -
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): -
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
펄스 폭 왜곡 (최대): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
전류-출력 높음, 낮음: -
전류-피크 출력: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: -

재고 있음8,964

SI8275DB-IM1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-VDFN
공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5)
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음10,044

SI8275DB-IM1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: *
기술: -
채널 수: -
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): -
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
펄스 폭 왜곡 (최대): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
전류-출력 높음, 낮음: -
전류-피크 출력: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: -

재고 있음4,392

SI8275DB-IS1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

IC DIGITAL ISOLATOR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: *
기술: -
채널 수: -
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): -
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
펄스 폭 왜곡 (최대): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
전류-출력 높음, 낮음: -
전류-피크 출력: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: -

재고 있음4,788

SI8275DB-IS1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

IC DIGITAL ISOLATOR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: *
기술: -
채널 수: -
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): -
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
펄스 폭 왜곡 (최대): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
전류-출력 높음, 낮음: -
전류-피크 출력: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: -

재고 있음8,586

SI8275GBD-IM1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-VDFN
공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5)
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음3,654

SI8275GBD-IM1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: *
기술: -
채널 수: -
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): -
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
펄스 폭 왜곡 (최대): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
전류-출력 높음, 낮음: -
전류-피크 출력: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: -

재고 있음4,410

SI8275GBD-IS1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음7,716

SI8275GBD-IS1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 200kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 75ns, 75ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음2,070

SI8275GB-IM1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-VDFN
공급자 장치 패키지: 14-QFN (5x5)
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음10,452

SI8275GB-IM1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: *
기술: -
채널 수: -
전압-절연: -
공통 모드 과도 내성 (최소): -
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): -
펄스 폭 왜곡 (최대): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
전류-출력 높음, 낮음: -
전류-피크 출력: -
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
승인: -

재고 있음8,550

SI8275GB-IS1

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음6,156

SI8275GB-IS1R

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 2
전압-절연: 2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 150kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 8ns
상승 / 하강 시간 (일반): 10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음: 1.8A, 4A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 4.2V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음6,606

SI8281BC-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음8,334

SI8281BC-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음3,258

SI8281BD-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: -
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 9.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음6,264

SI8281CC-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음7,254

SI8281CC-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음2,142

SI8281CD-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: -
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 12V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음4,752

SI8282BC-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음8,010

SI8282BC-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음3,168

SI8282BD-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: -
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 9.5V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음3,960

SI8282CC-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음6,132

SI8282CC-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음8,496

SI8282CD-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC

제조업체: Silicon Labs
시리즈: -
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 12V ~ 30V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 20-SOIC
승인: CQC, CSA, UR, VDE

재고 있음3,384

SI8283BC-IS

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음8,424

SI8283BC-ISR

Silicon Labs

절연체-게이트 드라이버

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

제조업체: Silicon Labs
시리즈: Automotive, AEC-Q100
기술: Capacitive Coupling
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소): 35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대): 50ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대): 5ns
상승 / 하강 시간 (일반): 5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음: 2.5A, 3A
전류-피크 출력: 4A
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
전압-출력 공급: 2.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC
승인: CQC, CSA, UL, VDE

재고 있음14,472

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