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CNY17G-1
CNY17G-1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,618
CNY17G-2
CNY17G-2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음926
CNY17G-3
CNY17G-3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음11
CNY17G-4
CNY17G-4

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음20,610
CNY64
CNY64

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음16,704
CNY64A
CNY64A

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음33,446
CNY64ABST
CNY64ABST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 240% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음5,364
CNY64AGRST
CNY64AGRST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음49,626
CNY64AYST
CNY64AYST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,614
CNY64B
CNY64B

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음167,953
CNY64S(A)(TA)-V
CNY64S(A)(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 8.2KV TRANSISTOR SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,912
CNY64S(B)(TA)-V
CNY64S(B)(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 8.2KV TRANSISTOR SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,282
CNY64ST
CNY64ST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음4,986
CNY65
CNY65

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 8.2KV TRANS THRU-HOLE

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음1,291
CNY65
CNY65

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음240
CNY65A
CNY65A

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음15,015
CNY65ABST
CNY65ABST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 240% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,238
CNY65AGRST
CNY65AGRST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음3,306
CNY65AYST
CNY65AYST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음8,340
CNY65B
CNY65B

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음12,229
CNY65BEXI
CNY65BEXI

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 11.6KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 11600VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음5,958
CNY65(B)-V
CNY65(B)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 8.2KV TRANS THRU-HOLE

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 8200Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음4,158
CNY65EXI
CNY65EXI

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 11.6KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 11600VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음2,389
CNY65ST
CNY65ST

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음9,804
CNY66
CNY66

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음3,005
CNY66B
CNY66B

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 13.9KV TRANS 4-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 13900VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 75mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음13,260
CNY74-2H
CNY74-2H

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV 2CH TRANS 8-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 500mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음15,546
CNY74-4H
CNY74-4H

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16-DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 4
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 500mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 16-DIP
재고 있음16,660
CNY75A
CNY75A

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4.5µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 2.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음20,220
CNY75B
CNY75B

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5.5µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음52,516