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FODM352
FODM352

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTODARLINGTON OPTO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,286
FODM352R2
FODM352R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

PHOTODARLINGTON OPTO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 채널 수: -
  • 전압-절연: -
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: -
  • 출력 유형: -
  • 전압-출력 (최대): -
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): -
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,118
FODM452
FODM452

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음25,370
FODM452R1
FODM452R1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음8,514
FODM452R1V
FODM452R1V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음75,209
FODM452R2
FODM452R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음8,514
FODM452R2V
FODM452R2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음8,000
FODM452V
FODM452V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음314
FODM453
FODM453

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음21,474
FODM453R1
FODM453R1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음6,030
FODM453R1V
FODM453R1V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음5,742
FODM453R2
FODM453R2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음26,238
FODM453R2V
FODM453R2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음8,838
FODM453V
FODM453V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 400ns, 350ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.6V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 5-Mini-Flat
재고 있음2,466
FODM8801A
FODM8801A

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음59,460
FODM8801AR2
FODM8801AR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음23,634
FODM8801AR2V
FODM8801AR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음6,156
FODM8801AV
FODM8801AV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음22,686
FODM8801B
FODM8801B

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음225,309
FODM8801BR2
FODM8801BR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음25,812
FODM8801BR2V
FODM8801BR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음2,711
FODM8801BV
FODM8801BV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음5,292
FODM8801C
FODM8801C

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음15,117
FODM8801CR2
FODM8801CR2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음5,094
FODM8801CR2V
FODM8801CR2V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음2,724
FODM8801CV
FODM8801CV

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: OptoHit™
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 5.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 75V
  • 전류-출력 / 채널: 30mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음25,578
H11A1
H11A1

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.8µs, 4.5µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 150mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,418
H11A1
H11A1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,966
H11A1
H11A1

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,796
H11A1
H11A1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음17,220