절연체

부품 번호	설명	재고 있음
H11A817B300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음6,066
H11A817B3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음4,518
H11A817B3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음2,610
H11A817BS ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음7,884
H11A817BSD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음1,253
H11A817BW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음4,536
H11A817C ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음4,842
H11A817C300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음26
H11A817C300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음6,642
H11A817C3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,760
H11A817C3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음3,924
H11A817CS ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음6,444
H11A817CSD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음4,284
H11A817CW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음2,988
H11A817D ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음7,326
H11A817D300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음4,860
H11A817D300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음7,596
H11A817D3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음8,388
H11A817D3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,346
H11A817DS ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,076
H11A817DSD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음8,136
H11A817DW ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음8,190
H11A817S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음4,212
H11A817SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음326
H11A817W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음7,452
H11AA1 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,650
H11AA1 Everlight Electronics Co Ltd	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max) 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,230
H11AA1 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음15,252
H11AA1300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,402
H11AA1300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,844

H11A817B300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음6,066

H11A817B3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음4,518

H11A817B3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음2,610

H11A817BS

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음7,884

H11A817BSD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음1,253

H11A817BW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음4,536

H11A817C

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음4,842

H11A817C300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음26

H11A817C300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음6,642

H11A817C3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,760

H11A817C3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음3,924

H11A817CS

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음6,444

H11A817CSD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음4,284

H11A817CW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음2,988

H11A817D

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음7,326

H11A817D300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음4,860

H11A817D300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음7,596

H11A817D3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음8,388

H11A817D3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,346

H11A817DS

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,076

H11A817DSD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음8,136

H11A817DW

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음8,190

H11A817S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음4,212

H11A817SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음326

H11A817W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.4µs, 2.4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음7,452

H11AA1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,650

H11AA1

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,230

H11AA1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음15,252

H11AA1300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,402

H11AA1300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,844

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