절연체

부품 번호	설명	재고 있음
H11AG2W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,546
H11AG3 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,470
H11AG3300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,788
H11AG3300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,886
H11AG33S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,132
H11AG33SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,446
H11AG3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,860
H11AG3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,874
H11AG3W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max) 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,506
H11AV1A ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,736
H11AV1AM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음186
H11AV1AVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,820
H11AV1FM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,454
H11AV1FR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,348
H11AV1FR2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,808
H11AV1FVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,220
H11AV1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음16,476
H11AV1SM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음1,977
H11AV1SR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음33,589
H11AV1SR2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,320
H11AV1SVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,106
H11AV1VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,438
H11AV1X Isocom Components 2004 LTD	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Isocom Components 2004 LTD 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,154
H11AV2AM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,526
H11AV2AVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,394
H11AV2FM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,290
H11AV2FR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,622
H11AV2FR2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,488
H11AV2FVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,248
H11AV2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,456

H11AG2W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,546

H11AG3

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,470

H11AG3300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,788

H11AG3300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,886

H11AG33S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,132

H11AG33SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,446

H11AG3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,860

H11AG3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,874

H11AG3W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,506

H11AV1A

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,736

H11AV1AM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음186

H11AV1AVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,820

H11AV1FM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,454

H11AV1FR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,348

H11AV1FR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,808

H11AV1FVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,220

H11AV1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음16,476

H11AV1SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음1,977

H11AV1SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음33,589

H11AV1SR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,320

H11AV1SVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,106

H11AV1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,438

H11AV1X

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Isocom Components 2004 LTD
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,154

H11AV2AM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,526

H11AV2AVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,394

H11AV2FM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,290

H11AV2FR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,622

H11AV2FR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,488

H11AV2FVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,248

H11AV2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,456

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