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HMHAA280V
HMHAA280V

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 입력 유형: AC, DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V (Max)
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat
재고 있음20,844
HSSR-711E-300
HSSR-711E-300

Broadcom

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

HERMETIC OPTOCOUPLER

  • 제조업체: Broadcom Limited
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 1500VDC
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: MOSFET
  • 전압-출력 (최대): 90V
  • 전류-출력 / 채널: 800mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): -
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP Gull Wing
재고 있음4,698
ICPL0452SMT&R
ICPL0452SMT&R

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,852
ICPL0453SMT&R
ICPL0453SMT&R

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,654
ICPL0500SMT&R
ICPL0500SMT&R

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.5µs, 1.5µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,024
ICPL0501SMT&R
ICPL0501SMT&R

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.5V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음22,434
ICPL2530
ICPL2530

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 7% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 500ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음1,086
ICPL2531
ICPL2531

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 300ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음1,703
ICPL2630
ICPL2630

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 40ns, 35ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 10ns
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 7V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음4,701
ICPL2631
ICPL2631

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 2
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 40ns, 35ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 10ns
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 7V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음14,532
ICPL4502
ICPL4502

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 150ns, 400ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음17,166
ICPL4503
ICPL4503

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANSISTOR

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음8,316
ICPLW50LSMT&R
ICPLW50LSMT&R

Isocom Components 2004 LTD

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV 2 CH TRANS S06

  • 제조업체: Isocom Components 2004 LTD
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 90% @ 3mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 3mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300ns, 400ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.4V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO Stretched
재고 있음7,308
IL1
IL1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 700ns, 1.4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 1.9µs, 1.4µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 50V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 250mV (Typ)
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,778
IL1205AT
IL1205AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,110
IL1206AT
IL1206AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,758
IL1207AT
IL1207AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음22,396
IL1208AT
IL1208AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,524
IL1-X016
IL1-X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.6µs, 8.6µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 1.2µs, 7.6µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 50V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 250mV (Typ)
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,490
IL2
IL2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 500% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 1.2µs, 2.3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2.6µs, 2.2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 250mV (Typ)
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,570
IL202-X001
IL202-X001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 125% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 250% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,362
IL203
IL203

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 225% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 450% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,310
IL203-X009T
IL203-X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 225% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 450% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,510
IL205AT
IL205AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음28,463
IL206AT
IL206AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음181,072
IL207AT
IL207AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,261
IL207A-X001T
IL207A-X001T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,436
IL208AT
IL208AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,259
IL211AT
IL211AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음27
IL212AT
IL212AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 4000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,608