절연체

부품 번호	설명	재고 있음
MCT5201300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,464
MCT52013S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,420
MCT52013SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,536
MCT5201M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음1,495
MCT5201S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,210
MCT5201SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,410
MCT5201SM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,106
MCT5201SR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,698
MCT5201W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,454
MCT5210 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음616
MCT5210 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음58
MCT5210300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,462
MCT5210300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,106
MCT52103S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,150
MCT52103SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,174
MCT5210M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음16,804
MCT5210S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음1,695
MCT5210SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,016
MCT5210SM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음14,196
MCT5210VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,826
MCT5210W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 60% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,264
MCT5210-X007T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,816
MCT5211 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 20µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,300
MCT5211 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,660
MCT5211300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,472
MCT5211300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,446
MCT52113S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,934
MCT52113SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,662
MCT5211M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음16,188
MCT5211S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,814

MCT5201300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,464

MCT52013S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,420

MCT52013SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,536

MCT5201M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음1,495

MCT5201S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,210

MCT5201SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,410

MCT5201SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,106

MCT5201SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,698

MCT5201W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 120% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 12µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 16µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,454

MCT5210

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음616

MCT5210

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음58

MCT5210300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,462

MCT5210300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,106

MCT52103S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,150

MCT52103SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,174

MCT5210M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음16,804

MCT5210S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음1,695

MCT5210SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,016

MCT5210SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음14,196

MCT5210VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,826

MCT5210W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 60% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 400ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,264

MCT5210-X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 70% @ 3mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,816

MCT5211

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 20µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,300

MCT5211

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,660

MCT5211300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,472

MCT5211300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,446

MCT52113S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,934

MCT52113SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,662

MCT5211M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음16,188

MCT5211S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 1.6mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 14µs, 2.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,814

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