절연체

부품 번호	설명	재고 있음
MOC215R1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,194
MOC215R1VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,932
MOC215R2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,102
MOC215R2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,362
MOC215VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,520
MOC216M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음22,716
MOC216R1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,724
MOC216R1VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,334
MOC216R2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,898
MOC216R2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,424
MOC216VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,736
MOC217M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,436
MOC217M_F132 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,588
MOC217R1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음65,378
MOC217R1VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,502
MOC217R2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음22,823
MOC217R2M_F132 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,416
MOC217R2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,232
MOC217VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,652
MOC223M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음77,502
MOC223R1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs 상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음34
MOC223R1VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs 상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,066
MOC223R2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음62,922
MOC223R2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,790
MOC223VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs 상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,610
MOC256M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음10,365
MOC256R1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,068
MOC256R1VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,258
MOC256R2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,976
MOC256R2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: AC, DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 150mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,858

MOC215R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,194

MOC215R1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,932

MOC215R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,102

MOC215R2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,362

MOC215VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,520

MOC216M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음22,716

MOC216R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,724

MOC216R1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,334

MOC216R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,898

MOC216R2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,424

MOC216VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,736

MOC217M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,436

MOC217M_F132

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,588

MOC217R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음65,378

MOC217R1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,502

MOC217R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음22,823

MOC217R2M_F132

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,416

MOC217R2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,232

MOC217VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 7.5µs, 5.7µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3.2µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.07V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,652

MOC223M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음77,502

MOC223R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음34

MOC223R1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3.5µs, 95µs
상승 / 하강 시간 (일반): 1µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,066

MOC223R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음62,922

MOC223R2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,790

MOC223VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 125µs
상승 / 하강 시간 (일반): 8µs, 110µs
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.08V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,610

MOC256M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음10,365

MOC256R1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,068

MOC256R1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,258

MOC256R2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,976

MOC256R2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: AC, DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 150mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,858

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