절연체

부품 번호	설명	재고 있음
PVI5013RPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 1µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음5,364
PVI5013RS Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 1µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음8,747
PVI5013RSPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 1µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음17,886
PVI5013RS-T Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 1µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음673
PVI5013RS-TPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 8V 전류-출력 / 채널: 1µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음7,740
PVI5033R Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 10V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음7,452
PVI5033RPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 10V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음3,320
PVI5033RS Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 10V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음2,930
PVI5033RSPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 10V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음56
PVI5033RS-T Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 10V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음7,938
PVI5033RS-TPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 2 전압-절연: 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 10V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음3,636
PVI5050 Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 IC ISO PHOTOVOLTC 5V-OUT 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI-NPbF 채널 수: 1 전압-절연: 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 6 Leads 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음8,820
PVI5050N Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified	재고 있음2,772
PVI5050NPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified	재고 있음17,820
PVI5050NS Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음6,732
PVI5050NSPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음18,114
PVI5080 Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 IC ISO PHOTOVOLTC 5V-OUT 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI-NPbF 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 5µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음4,392
PVI5080N Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 8µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified	재고 있음7,020
PVI5080NPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 8µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified	재고 있음2,908
PVI5080NS Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 8µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음7,578
PVI5080NSPBF Infineon Technologies	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PVI 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 5V 전류-출력 / 채널: 8µA 전압-순방향 (Vf) (통상): - 전류-DC 순방향 (If) (최대): - Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음131
Q817 QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOCPLR DC-INPUT 1.2V 4DIP 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음5,292
Q817B QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 DIP 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: Q817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음30,330
Q817BST1 QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 SMD 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: Q817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음38,958
Q817C QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 DIP 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: Q817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음28,404
Q817CST1 QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 SMD 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: Q817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 35V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음32,484
QT1010T1-W QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 LONG CREEPAGE MINI-FLAT PACKAGE 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4.8µs, 4.2µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.8µs, 4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.42V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat	재고 있음28,344
QT1013T1-W QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 LONG CREEPAGE MINI-FLAT PACKAGE 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4.8µs, 4.2µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.8µs, 4µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.42V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat	재고 있음28,020
QT4502 QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 350ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음5,292
QT4503 QT Brightek (QTB)	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR 제조업체: QT Brightek (QTB) 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 350ns 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 20V 전류-출력 / 채널: 8mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음6,822

PVI5013RPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 1µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음5,364

PVI5013RS

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 1µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음8,747

PVI5013RSPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 1µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음17,886

PVI5013RS-T

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 1µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음673

PVI5013RS-TPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5ms, 250µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 8V
전류-출력 / 채널: 1µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음7,740

PVI5033R

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 10V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음7,452

PVI5033RPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 10V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음3,320

PVI5033RS

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 10V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음2,930

PVI5033RSPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 10V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음56

PVI5033RS-T

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 10V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음7,938

PVI5033RS-TPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 2
전압-절연: 3750Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5ms, 500µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 10V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): 40mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음3,636

PVI5050

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

IC ISO PHOTOVOLTC 5V-OUT 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI-NPbF
채널 수: 1
전압-절연: 2500Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 6 Leads
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음8,820

PVI5050N

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified

재고 있음2,772

PVI5050NPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified

재고 있음17,820

PVI5050NS

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음6,732

PVI5050NSPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음18,114

PVI5080

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

IC ISO PHOTOVOLTC 5V-OUT 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI-NPbF
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 5µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음4,392

PVI5080N

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 8µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified

재고 있음7,020

PVI5080NPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 8µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-DIP Modified

재고 있음2,908

PVI5080NS

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 8µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음7,578

PVI5080NSPBF

Infineon Technologies

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV PHOTOVOLTAIC 8-SMT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PVI
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 300µs, 220µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 5V
전류-출력 / 채널: 8µA
전압-순방향 (Vf) (통상): -
전류-DC 순방향 (If) (최대): -
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD (0.300", 7.62mm), 4 Leads
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음131

Q817

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOCPLR DC-INPUT 1.2V 4DIP

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음5,292

Q817B

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

DIP 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: Q817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음30,330

Q817BST1

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

SMD 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: Q817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음38,958

Q817C

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

DIP 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: Q817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음28,404

Q817CST1

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

SMD 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: Q817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 35V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.24V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음32,484

QT1010T1-W

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

LONG CREEPAGE MINI-FLAT PACKAGE

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 4.8µs, 4.2µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.8µs, 4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.42V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat

재고 있음28,344

QT1013T1-W

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

LONG CREEPAGE MINI-FLAT PACKAGE

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 1000% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 4.8µs, 4.2µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.8µs, 4µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.42V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-Mini-Flat

재고 있음28,020

QT4502

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 350ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음5,292

QT4503

QT Brightek (QTB)

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR

제조업체: QT Brightek (QTB)
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 19% @ 16mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 16mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 350ns, 350ns
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 20V
전류-출력 / 채널: 8mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음6,822

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