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SL5511300W
SL5511300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,326
SL55113S
SL55113S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,618
SL55113SD
SL55113SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,718
SL5511S
SL5511S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,632
SL5511SD
SL5511SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,582
SL5511W
SL5511W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 2mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.23V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,130
SL5582300W
SL5582300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 50V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,532
SL5582W
SL5582W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 50V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,154
SL5583300W
SL5583300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 50V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,326
SL5583W
SL5583W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 20µs, 50µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 50V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,804
TCDT1100
TCDT1100

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음2,196
TCDT1100G
TCDT1100G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,892
TCDT1101
TCDT1101

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,778
TCDT1101G
TCDT1101G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음15,678
TCDT1102
TCDT1102

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음17,124
TCDT1102G
TCDT1102G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음17,658
TCDT1103
TCDT1103

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음15,768
TCDT1103G
TCDT1103G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 11µs, 7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7µs, 6.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 32V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,710
TCDT1110
TCDT1110

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 9µs, 18µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,328
TCDT1110G
TCDT1110G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 15µs, 15µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 9µs, 18µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,184
TCDT1120
TCDT1120

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5.5µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,896
TCDT1120G
TCDT1120G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5.5µs, 4µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 3.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,262
TCDT1121
TCDT1121

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): -
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,986
TCDT1122
TCDT1122

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,740
TCDT1122G
TCDT1122G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음20,238
TCDT1123
TCDT1123

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음2,952
TCDT1123G
TCDT1123G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 7µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4.2µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음13,776
TCDT1124
TCDT1124

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,434
TCDT1124G
TCDT1124G

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 4µs, 4.7µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 4.7µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 70V
  • 전류-출력 / 채널: 50mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 300mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음16,746
TCED1100
TCED1100

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음31,440