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TIL117FR2M
TIL117FR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,556
TIL117FR2VM
TIL117FR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,992
TIL117FVM
TIL117FVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,470
TIL117M
TIL117M

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,842
TIL117M
TIL117M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,750
TIL117M-V
TIL117M-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,550
TIL117S1(TA)
TIL117S1(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,838
TIL117S1(TA)-V
TIL117S1(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,844
TIL117S1(TB)
TIL117S1(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,726
TIL117S1(TB)-V
TIL117S1(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,690
TIL117SM
TIL117SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음5,706
TIL117SR2M
TIL117SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,568
TIL117SR2VM
TIL117SR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음5,346
TIL117S(TA)
TIL117S(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음6,030
TIL117S(TA)-V
TIL117S(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,632
TIL117S(TB)
TIL117S(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음4,824
TIL117S(TB)-V
TIL117S(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,236
TIL117SVM
TIL117SVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,298
TIL117TM
TIL117TM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,650
TIL117TVM
TIL117TVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음2,880
TIL117-V
TIL117-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 9µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 6µs, 8µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 80V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.32V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 110°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,514
TIL117VM
TIL117VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 7500Vpk
  • 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 10µs, 10µs (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 2µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 30V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -40°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음7,884
TLP109(E
TLP109(E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음27,732
TLP109(IGM,E)
TLP109(IGM,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 75% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 450ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음2,412
TLP109(IGM-TPL,E
TLP109(IGM-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 75% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 450ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음3,510
TLP109(IGM-TPR,E
TLP109(IGM-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 25% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 75% @ 10mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 450ns, 450ns
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음3,996
TLP109(TPL,E
TLP109(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음503
TLP109(TPR,E)
TLP109(TPR,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음562,884
TLP109(V4,E
TLP109(V4,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음3,598
TLP109(V4-TPL,E
TLP109(V4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 3750Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 16mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 800ns, 800ns (Max)
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor
  • 전압-출력 (최대): 20V
  • 전류-출력 / 채널: 8mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.64V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA
  • Vce 포화 (최대): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 6-SO, 5 Lead
재고 있음2,178