절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TLP785(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음49,350
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SURFACE MO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음6,714
TLP785(GB-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F PHOTOCOUPLER SURFACE MO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음3,456
TLP785(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음8,928
TLP785(GRH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음6,750
TLP785(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F TRANSISTOR OPTOCOUPLER 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음6,498
TLP785(GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 X36 PB-F TRANSISTOR OPTOCOUPLER 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음7,920
TLP785(GR-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음192,906
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음8,298
TLP785(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음18,960
TPC816A C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음23,136
TPC816B C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음25,338
TPC816C C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음2,466
TPC816D C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음25,758
TPC816MA C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음4,428
TPC816MB C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음3,454
TPC816MC C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음2,916
TPC816MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음3,454
TPC816S1A RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음6,120
TPC816S1B RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음29,880
TPC816S1C RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음20,244
TPC816S1D RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC816 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -30°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음23,220
TPC817A C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음185,244
TPC817B C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음104,598
TPC817C C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음150,234
TPC817D C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4DIP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음173,568
TPC817MA C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음8,208
TPC817MB C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음167,724
TPC817MC C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음80,004
TPC817MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음6,192

TLP785(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음49,350

TLP785(GB-LF6,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SURFACE MO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음6,714

TLP785(GB-TP6,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F PHOTOCOUPLER SURFACE MO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음3,456

TLP785(GR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음8,928

TLP785(GRH-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 150% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음6,750

TLP785(GRL,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F TRANSISTOR OPTOCOUPLER

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음6,498

TLP785(GR-LF6,F

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

X36 PB-F TRANSISTOR OPTOCOUPLER

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음7,920

TLP785(GR-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음192,906

TLP785(TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음8,298

TLP785(Y,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 150% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음18,960

TPC816A C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음23,136

TPC816B C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음25,338

TPC816C C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음2,466

TPC816D C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음25,758

TPC816MA C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음4,428

TPC816MB C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음3,454

TPC816MC C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음2,916

TPC816MD C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음3,454

TPC816S1A RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음6,120

TPC816S1B RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음29,880

TPC816S1C RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음20,244

TPC816S1D RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC816
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -30°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음23,220

TPC817A C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음185,244

TPC817B C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음104,598

TPC817C C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음150,234

TPC817D C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음173,568

TPC817MA C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음8,208

TPC817MB C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음167,724

TPC817MC C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음80,004

TPC817MD C9G

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음6,192

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message