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메모리 IC

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부품 번호
설명
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7008L25PFI8
7008L25PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,376
7008L35G
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음2,100
7008L35J
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음3,744
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음8,982
7008L35PF
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,484
7008L35PF8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,336
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음4,140
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IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음3,798
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IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
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  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음7,524
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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재고 있음7,164
7008L55PF8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,562
7008L55PFI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,196
7008L55PFI8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음5,202
7008S15J
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
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  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음6,624
7008S15J8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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재고 있음3,384
7008S15PF
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,038
7008S15PF8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,916
7008S20J
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
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  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음7,146
7008S20J8
7008S20J8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음8,838
7008S20PF
7008S20PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,340
7008S20PF8
7008S20PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,064
7008S20PF8/C
7008S20PF8/C

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,470
7008S20PFI
7008S20PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,028
7008S20PFI8
7008S20PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,506
7008S25G
7008S25G

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음3,114
7008S25J
7008S25J

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음2,898
7008S25J8
7008S25J8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 84PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 84-PLCC (29.21x29.21)
재고 있음4,500
7008S25PF
7008S25PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,336
7008S25PF8
7008S25PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,038
7008S25PFI
7008S25PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,352