메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES Micron Technology Inc.	기억 MLC 128G DIE 16GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,084
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 128G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,452
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,490
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,106
MT29F128G08CBEABH6-12:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음7,326
MT29F128G08CBEABH6-12:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음8,586
MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음2,466
MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음8,334
MT29F128G08CBEABL85A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL WAFER 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,490
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL WAFER 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,208
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,860
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL DIE 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,256
MT29F128G08CBECBH6-12:C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음7,758
MT29F128G08CBECBH6-12:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음3,276
MT29F128G08CBECBH6-12M:C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음7,812
MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VBGA 공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)	재고 있음5,202
MT29F128G08CBECBL95B3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL DIE 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,822
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL WAFER 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,264
MT29F128G08CEAAAC5:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-VLGA 공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)	재고 있음4,212
MT29F128G08CECABH1-10Z:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음2,268
MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음5,382
MT29F128G08CECABH1-12:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음3,348
MT29F128G08CECABH1-12IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음8,622
MT29F128G08CECABH1-12ITZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음2,340
MT29F128G08CECABH1-12ITZ:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음3,526
MT29F128G08CECABH1-12Z:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음3,636
MT29F128G08CECABH1-12Z:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음7,110
MT29F128G08CECBBH1-10:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음6,354
MT29F128G08CECBBH1-10IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VBGA 공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)	재고 있음8,658
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,564

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES

Micron Technology Inc.

기억

MLC 128G DIE 16GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,084

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND 128G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,452

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,490

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,106

MT29F128G08CBEABH6-12:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음7,326

MT29F128G08CBEABH6-12:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음8,586

MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음2,466

MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음8,334

MT29F128G08CBEABL85A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,490

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,208

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,860

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,256

MT29F128G08CBECBH6-12:C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음7,758

MT29F128G08CBECBH6-12:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음3,276

MT29F128G08CBECBH6-12M:C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음7,812

MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VBGA
공급자 장치 패키지: 152-VBGA (14x18)

재고 있음5,202

MT29F128G08CBECBL95B3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,822

MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,264

MT29F128G08CEAAAC5:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-VLGA
공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)

재고 있음4,212

MT29F128G08CECABH1-10Z:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음2,268

MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음5,382

MT29F128G08CECABH1-12:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음3,348

MT29F128G08CECABH1-12IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음8,622

MT29F128G08CECABH1-12ITZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음2,340

MT29F128G08CECABH1-12ITZ:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음3,526

MT29F128G08CECABH1-12Z:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음3,636

MT29F128G08CECABH1-12Z:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음7,110

MT29F128G08CECBBH1-10:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음6,354

MT29F128G08CECBBH1-10IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VBGA
공급자 장치 패키지: 100-VBGA (12x18)

재고 있음8,658

MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,564

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message