Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 1078/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음4,140
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)
재고 있음5,058
MT29F2G08ABBEAHC:E
MT29F2G08ABBEAHC:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)
재고 있음277
MT29F2G08ABBEAHC:E TR
MT29F2G08ABBEAHC:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)
재고 있음2,394
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)
재고 있음4,125
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)
재고 있음23,568
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,418
MT29F2G08ABBFAH4:F
MT29F2G08ABBFAH4:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음2,268
MT29F2G08ABBFAH4:F TR
MT29F2G08ABBFAH4:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음3,042
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음3,186
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음7,650
MT29F2G08ABBGAH4-AATES:G
MT29F2G08ABBGAH4-AATES:G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G NAND SLC 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 30ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음5,004
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음6,992
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음21,036
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL WAFER

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,310
MT29F2G08ABCWP:C TR
MT29F2G08ABCWP:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음8,226
MT29F2G08ABDHC:D TR
MT29F2G08ABDHC:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA
재고 있음7,506
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA
재고 있음5,166
MT29F2G08ABDWP:D
MT29F2G08ABDWP:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음8,460
MT29F2G08ABDWP:D TR
MT29F2G08ABDWP:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음5,238
MT29F2G16AABWP-ET TR
MT29F2G16AABWP-ET TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음6,912
MT29F2G16AABWP TR
MT29F2G16AABWP TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음2,736
MT29F2G16AADWP:D TR
MT29F2G16AADWP:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음6,390
MT29F2G16AADWP-ET:D TR
MT29F2G16AADWP-ET:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음5,508
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음4,446
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음6,336
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음4,841
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음21,048
MT29F2G16ABAEAWP:E
MT29F2G16ABAEAWP:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음7,904
MT29F2G16ABAEAWP:E TR
MT29F2G16ABAEAWP:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음7,416