메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53B512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,128
MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,978
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,244
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,374
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음4,644
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음3,978
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음3,978
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음6,066
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음3,582
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음4,770
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음7,848
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음8,838
MT53B768M32D4TT-062 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,258
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,916
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,262
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,438
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,304
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,902
MT53B768M64D8NK-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음8,946
MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음4,824
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음3,544
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 366-WFBGA 공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)	재고 있음8,460
MT53B768M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,372
MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,532
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,982
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (768M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,676
MT53B8DANK-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,982
MT53B8DANK-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,138
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,572
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,844

MT53B512M64D8HR-053 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,128

MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,978

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,244

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,374

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음4,644

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음3,978

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음3,978

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음6,066

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음3,582

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음4,770

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
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패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음7,848

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
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재고 있음8,838

MT53B768M32D4TT-062 WT:B

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
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재고 있음3,258

MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
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재고 있음2,916

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
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재고 있음8,262

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
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재고 있음3,438

MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
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재고 있음2,304

MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,902

MT53B768M64D8NK-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음8,946

MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR

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IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음4,824

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음3,544

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 366-WFBGA
공급자 장치 패키지: 366-WFBGA (15x15)

재고 있음8,460

MT53B768M64D8WF-062 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,372

MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,532

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,982

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (768M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,676

MT53B8DANK-DC

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,982

MT53B8DANK-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,138

MT53D1024M32D4BD-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,572

MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,844

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