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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
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S29GL512T11TFIV33
S29GL512T11TFIV33

Cypress Semiconductor

기억

IC 512 MB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,320
S29GL512T11TFV010
S29GL512T11TFV010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,896
S29GL512T11TFV020
S29GL512T11TFV020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,152
S29GL512T12DHN010
S29GL512T12DHN010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음6,624
S29GL512T12DHN013
S29GL512T12DHN013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,952
S29GL512T12DHN020
S29GL512T12DHN020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음8,244
S29GL512T12DHN023
S29GL512T12DHN023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음3,508
S29GL512T12DHVV10
S29GL512T12DHVV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,250
S29GL512T12DHVV20
S29GL512T12DHVV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음5,832
S29GL512T12DHVV23
S29GL512T12DHVV23

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음3,150
S29GL512T12TFN010
S29GL512T12TFN010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음9,816
S29GL512T12TFN013
S29GL512T12TFN013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음5,202
S29GL512T12TFN020
S29GL512T12TFN020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,870
S29GL512T12TFN023
S29GL512T12TFN023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,802
S29GL512T12TFVV10
S29GL512T12TFVV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,772
S29GL512T12TFVV20
S29GL512T12TFVV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음6,960
S29GL512T12TFVV23
S29GL512T12TFVV23

Cypress Semiconductor

기억

IC 512 MB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,996
S29GL512T13DHNV10
S29GL512T13DHNV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 130ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음8,028
S29GL512T13DHNV13
S29GL512T13DHNV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 130ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음3,978
S29GL512T13DHNV23
S29GL512T13DHNV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 130ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,682
S29GL512T13TFNV10
S29GL512T13TFNV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 130ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,380
S29GL512T13TFNV13
S29GL512T13TFNV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 130ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,424
S29GL512T13TFNV20
S29GL512T13TFNV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 130ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음6,786
S29GL512T13TFNV23
S29GL512T13TFNV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 130ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,398
S29JL032J60BHI310
S29JL032J60BHI310

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: JL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 60ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음2,502
S29JL032J60BHI313
S29JL032J60BHI313

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: JL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 60ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음7,056
S29JL032J60BHI320
S29JL032J60BHI320

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: JL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 60ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음8,964
S29JL032J60BHI323
S29JL032J60BHI323

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: JL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 60ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8.15x6.15)
재고 있음8,982
S29JL032J60TFI010
S29JL032J60TFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: JL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 60ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음6,678
S29JL032J60TFI013
S29JL032J60TFI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: JL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 60ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음8,298