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메모리 IC

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S29VS128RABBHI010
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IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
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IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
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IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음2,952
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IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
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  • 접근 시간: 80ns
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
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IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
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  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
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IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
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IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.7x6.2)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
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  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
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  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
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  • 메모리 포맷: FLASH
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  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
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  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
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  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
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IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
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IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음3,258
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IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음6,948
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IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음7,578
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IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음2,100
S29WS064RABBHI000
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IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: WS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)
재고 있음6,570
S29WS064RABBHI010
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IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: WS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)
재고 있음4,410
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: WS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)
재고 있음4,986
S29WS064RABBHW010
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: WS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)
재고 있음2,412
S29WS128N0LBAW010
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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,214
S29WS128N0LBAW012
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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,958
S29WS128N0LBAW013
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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,714
S29WS128N0LBFA0A0
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Cypress Semiconductor

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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
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  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
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재고 있음7,974
S29WS128N0LBFW010
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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
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  • 메모리 인터페이스: -
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  • 전압-공급: -
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재고 있음4,932
S29WS128N0LBFW012
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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
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  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,474
S29WS128N0LBFW013
S29WS128N0LBFW013

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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,120
S29WS128N0PBAW010
S29WS128N0PBAW010

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IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,628
S29WS128N0PBAW012
S29WS128N0PBAW012

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,380