메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S71VS064RB0AHTCL0 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, PSRAM 메모리 크기: 64Mbit Flash, 64Mbit RAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-VFBGA 공급자 장치 패키지: 52-VFRBGA (6x5)	재고 있음7,956
S71VS128RB0AHK4L0 Cypress Semiconductor	기억 IC 256M PAGE-MODE FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, PSRAM 메모리 크기: 128Mbit Flash, 32Mbit RAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)	재고 있음1,088
S71VS128RC0AHK4L0 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, PSRAM 메모리 크기: 128Mbit Flash, 64Mbit RAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)	재고 있음401
S71VS128RC0AHK4L3 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 128M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, PSRAM 메모리 크기: 128Mbit Flash, 64Mbit RAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)	재고 있음3,418
S71VS256RD0AHK400 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR SMD 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,464
S71VS256RD0AHK4L3 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, PSRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 128Mbit RAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)	재고 있음5,850
S71VS256RD0AHKC00 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR SMD 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,284
S71WS064JA0BAW2Y0A Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,186
S71WS256NC0BAWAP0F Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,172
S71WS256NC0BAWAP0G Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,416
S71WS256PC0HH3YR0 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, PSRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 64Mbit RAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 80MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음6,444
S71WS256PC0HH3YR3 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, PSRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 64Mbit RAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 80MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음4,284
S72VS256RE0AHBH10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음3,600
S72VS256RE0AHBH13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음8,244
S72VS256RE0AHBJ10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음3,528
S72VS256RE0AHBJ13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: VS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음8,802
S72XS256RE0AHBH10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음6,120
S72XS256RE0AHBH20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음2,880
S72XS256RE0AHBH23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음2,970
S72XS256RE0AHBHH0 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음2,682
S72XS256RE0AHBHH3 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음2,772
S72XS256RE0AHBJ10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음3,762
S72XS256RE0AHBJ13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음2,340
S72XS256RE0AHBJ20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음6,750
S72XS256RE0AHBJ23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음5,202
S72XS256RE0AHBJH0 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음3,672
S72XS256RE0AHBJH3 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH, DRAM 메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 133-VFBGA 공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)	재고 있음3,978
S76MSA90222AHD000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH MEM 1GBIT 130BALL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,696
S76MSA90222AHD000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH MEM 1GBIT 130BALL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,302
S76MSA90222AHD003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH MEM 1GBIT 130BALL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,682

S71VS064RB0AHTCL0

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, PSRAM
메모리 크기: 64Mbit Flash, 64Mbit RAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-VFBGA
공급자 장치 패키지: 52-VFRBGA (6x5)

재고 있음7,956

S71VS128RB0AHK4L0

Cypress Semiconductor

기억

IC 256M PAGE-MODE FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, PSRAM
메모리 크기: 128Mbit Flash, 32Mbit RAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)

재고 있음1,088

S71VS128RC0AHK4L0

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, PSRAM
메모리 크기: 128Mbit Flash, 64Mbit RAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)

재고 있음401

S71VS128RC0AHK4L3

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 128M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, PSRAM
메모리 크기: 128Mbit Flash, 64Mbit RAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)

재고 있음3,418

S71VS256RD0AHK400

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR SMD

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,464

S71VS256RD0AHK4L3

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, PSRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 128Mbit RAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFRBGA (7.7x6.2)

재고 있음5,850

S71VS256RD0AHKC00

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR SMD

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,284

S71WS064JA0BAW2Y0A

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,186

S71WS256NC0BAWAP0F

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,172

S71WS256NC0BAWAP0G

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,416

S71WS256PC0HH3YR0

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, PSRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 64Mbit RAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음6,444

S71WS256PC0HH3YR3

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, PSRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 64Mbit RAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음4,284

S72VS256RE0AHBH10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음3,600

S72VS256RE0AHBH13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음8,244

S72VS256RE0AHBJ10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음3,528

S72VS256RE0AHBJ13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: VS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음8,802

S72XS256RE0AHBH10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음6,120

S72XS256RE0AHBH20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음2,880

S72XS256RE0AHBH23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음2,970

S72XS256RE0AHBHH0

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음2,682

S72XS256RE0AHBHH3

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음2,772

S72XS256RE0AHBJ10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음3,762

S72XS256RE0AHBJ13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음2,340

S72XS256RE0AHBJ20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음6,750

S72XS256RE0AHBJ23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음5,202

S72XS256RE0AHBJH0

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음3,672

S72XS256RE0AHBJH3

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH RAM 256MIT PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH, DRAM
메모리 크기: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 133-VFBGA
공급자 장치 패키지: 133-FBGA (8x8)

재고 있음3,978

S76MSA90222AHD000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH MEM 1GBIT 130BALL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,696

S76MSA90222AHD000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEM 1GBIT 130BALL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,302

S76MSA90222AHD003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH MEM 1GBIT 130BALL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,682

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