메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
THGBMJG9C8LBAU8 Toshiba Memory America, Inc.	기억 512GBIT V5.1 I TEMP EMMC 제조업체: Toshiba Memory America, Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-WFBGA 공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)	재고 있음274
THGBMNG5D1LBAIL Toshiba Memory America, Inc.	기억 4GBIT NAND 15NM EMBEDDED MULTIME 제조업체: Toshiba Memory America, Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-WFBGA 공급자 장치 패키지: 153-WFBGA (11.5x13)	재고 있음7,641
THGBMNG5D1LBAIT Toshiba Memory America, Inc.	기억 IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA 제조업체: Toshiba Memory America, Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 32Gb (4G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 52MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-WFBGA 공급자 장치 패키지: 153-WFBGA (11x10)	재고 있음3,801
U62256ADC07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음6,588
U62256ADK07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음6,024
U62256AS2C07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음6,390
U62256AS2C07LLG1TR Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음6,228
U62256AS2K07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음3,384
U62256AS2K07LLG1TR Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음4,230
U6264BDC07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음4,122
U6264BDK07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음8,028
U6264BS2C07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음7,344
U6264BS2C07LLG1TR Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음2,502
U6264BS2K07LLG1 Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음14,039
U6264BS2K07LLG1TR Alliance Memory, Inc.	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOP	재고 있음4,014
USBF129-I/SN Microchip Technology	기억 IC FLASH 4M SPI 30MHZ 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 30MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,298
USBF129-I/SNVAO Microchip Technology	기억 4MB SPI FLASH USB FIRMWARE MEMOR 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 30MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,096
USBF129T-I/SN Microchip Technology	기억 IC FLASH 4M SPI 30MHZ 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 30MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,570
USBF129T-I/SNVAO Microchip Technology	기억 4MB SPI FLASH USB FIRMWARE MEMOR 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 30MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,814
USBF129T-V/SNVAO Microchip Technology	기억 4MB SPI FLASH 8L-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 30MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,240
USBF129-V/SNVAO Microchip Technology	기억 4MB SPI FLASH 8L-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 30MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,778
USBF1600-I/MFVAO Microchip Technology	기억 2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (5x6)	재고 있음6,606
USBF1600-I/SNVAO Microchip Technology	기억 2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,410
USBF1600T-I/MFVAO Microchip Technology	기억 2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (5x6)	재고 있음5,940
USBF1600T-I/SNVAO Microchip Technology	기억 2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,840
USBF4100-E/SNVAO Microchip Technology	기억 512MBYTE USB FIRMWARE MEMORY 125 제조업체: Microchip Technology 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,564
USBF4100-I/SNVAO Microchip Technology	기억 4MB SPI FLASH USB FIRMWARE MEMOR 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,038
USBF4100T-E/SNVAO Microchip Technology	기억 512MBYTE USB FIRMWARE MEMORY 125 제조업체: Microchip Technology 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,898
USBF4100T-I/NPVAO Microchip Technology	기억 512MBYTE USB FIRMWARE MEMORY 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음5,904
USBF4100T-I/SNVAO Microchip Technology	기억 USBF4100T-I/SNVAO 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,310

THGBMJG9C8LBAU8

Toshiba Memory America, Inc.

기억

512GBIT V5.1 I TEMP EMMC

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-WFBGA
공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)

재고 있음274

THGBMNG5D1LBAIL

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GBIT NAND 15NM EMBEDDED MULTIME

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-WFBGA
공급자 장치 패키지: 153-WFBGA (11.5x13)

재고 있음7,641

THGBMNG5D1LBAIT

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-WFBGA
공급자 장치 패키지: 153-WFBGA (11x10)

재고 있음3,801

U62256ADC07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음6,588

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음6,024

U62256AS2C07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음6,390

U62256AS2C07LLG1TR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음6,228

U62256AS2K07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음3,384

U62256AS2K07LLG1TR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음4,230

U6264BDC07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음4,122

U6264BDK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음8,028

U6264BS2C07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음7,344

U6264BS2C07LLG1TR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음2,502

U6264BS2K07LLG1

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음14,039

U6264BS2K07LLG1TR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOP

재고 있음4,014

USBF129-I/SN

Microchip Technology

기억

IC FLASH 4M SPI 30MHZ 8SOIC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 30MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,298

USBF129-I/SNVAO

Microchip Technology

기억

4MB SPI FLASH USB FIRMWARE MEMOR

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 30MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,096

USBF129T-I/SN

Microchip Technology

기억

IC FLASH 4M SPI 30MHZ 8SOIC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 30MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,570

USBF129T-I/SNVAO

Microchip Technology

기억

4MB SPI FLASH USB FIRMWARE MEMOR

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 30MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,814

USBF129T-V/SNVAO

Microchip Technology

기억

4MB SPI FLASH 8L-SOIC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 30MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,240

USBF129-V/SNVAO

Microchip Technology

기억

4MB SPI FLASH 8L-SOIC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 30MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,778

USBF1600-I/MFVAO

Microchip Technology

기억

2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (5x6)

재고 있음6,606

USBF1600-I/SNVAO

Microchip Technology

기억

2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,410

USBF1600T-I/MFVAO

Microchip Technology

기억

2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (5x6)

재고 있음5,940

USBF1600T-I/SNVAO

Microchip Technology

기억

2MBYTES USB FIRMWARE MEMORY

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,840

USBF4100-E/SNVAO

Microchip Technology

기억

512MBYTE USB FIRMWARE MEMORY 125

제조업체: Microchip Technology
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,564

USBF4100-I/SNVAO

Microchip Technology

기억

4MB SPI FLASH USB FIRMWARE MEMOR

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,038

USBF4100T-E/SNVAO

Microchip Technology

기억

512MBYTE USB FIRMWARE MEMORY 125

제조업체: Microchip Technology
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,898

USBF4100T-I/NPVAO

Microchip Technology

기억

512MBYTE USB FIRMWARE MEMORY

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음5,904

USBF4100T-I/SNVAO

Microchip Technology

기억

USBF4100T-I/SNVAO

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,310

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