메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
70V3579S5BFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음8,856
70V3579S5DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음7,920
70V3579S5DRI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음4,626
70V3579S6BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음6,570
70V3579S6BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,490
70V3579S6BCI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,762
70V3579S6BCI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,132
70V3579S6BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음3,006
70V3579S6BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음6,174
70V3579S6DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음6,948
70V3589S133BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,240
70V3589S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음2,592
70V3589S133BCI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,712
70V3589S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음6,372
70V3589S133BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음2,430
70V3589S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음7,812
70V3589S133BFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음7,038
70V3589S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음7,956
70V3589S133DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,916
70V3589S133DRG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음7,902
70V3589S133DRG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음8,334
70V3589S133DRGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음6,894
70V3589S133DRGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음3,924
70V3589S133DRI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,466
70V3589S166BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,564
70V3589S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음7,722
70V3589S166BCG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음6,624
70V3589S166BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음8,928
70V3589S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음6,246
70V3589S166BFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)	재고 있음6,606

70V3579S5BFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음8,856

70V3579S5DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음7,920

70V3579S5DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음4,626

70V3579S6BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음6,570

70V3579S6BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,490

70V3579S6BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,762

70V3579S6BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,132

70V3579S6BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음3,006

70V3579S6BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음6,174

70V3579S6DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음6,948

70V3589S133BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,240

70V3589S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음2,592

70V3589S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,712

70V3589S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음6,372

70V3589S133BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음2,430

70V3589S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음7,812

70V3589S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음7,038

70V3589S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음7,956

70V3589S133DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,916

70V3589S133DRG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음7,902

70V3589S133DRG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음8,334

70V3589S133DRGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음6,894

70V3589S133DRGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음3,924

70V3589S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,466

70V3589S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,564

70V3589S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음7,722

70V3589S166BCG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음6,624

70V3589S166BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음8,928

70V3589S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음6,246

70V3589S166BFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-FPBGA (15x15)

재고 있음6,606

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