메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
70V7519S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음7,776
70V7519S133BFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음5,814
70V7519S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음6,444
70V7519S133DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음3,312
70V7519S133DRI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,628
70V7519S133DRI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음3,456
70V7519S166BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음6,624
70V7519S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음5,760
70V7519S166BCI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음5,364
70V7519S166BCI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,190
70V7519S166BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음5,688
70V7519S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음8,064
70V7519S166DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음4,626
70V7519S166DRI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음4,770
70V7519S166DRI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음6,678
70V7519S200BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,914
70V7519S200BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음4,194
70V7519S200BCG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,888
70V7519S200BCG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,852
70V7599S133BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음7,200
70V7599S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음3,582
70V7599S133BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음8,820
70V7599S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음8,946
70V7599S133DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음2,880
70V7599S166BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음5,598
70V7599S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음8,640
70V7599S166BF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음4,932
70V7599S166BF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-LFBGA 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)	재고 있음2,844
70V7599S166DR IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.6ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 208-BFQFP 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)	재고 있음8,442
70V7599S200BC IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.4ns 전압-공급: 3.15V ~ 3.45V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음2,394

70V7519S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음7,776

70V7519S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음5,814

70V7519S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음6,444

70V7519S133DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음3,312

70V7519S133DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음2,628

70V7519S133DRI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음3,456

70V7519S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음6,624

70V7519S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음5,760

70V7519S166BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음5,364

70V7519S166BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,190

70V7519S166BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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재고 있음5,688

70V7519S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음8,064

70V7519S166DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음4,626

70V7519S166DRI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음4,770

70V7519S166DRI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음6,678

70V7519S200BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음4,914

70V7519S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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재고 있음4,194

70V7519S200BCG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,888

70V7519S200BCG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음3,852

70V7599S133BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음7,200

70V7599S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
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재고 있음3,582

70V7599S133BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음8,820

70V7599S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
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재고 있음8,946

70V7599S133DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
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재고 있음2,880

70V7599S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음5,598

70V7599S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음8,640

70V7599S166BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음4,932

70V7599S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-LFBGA
공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)

재고 있음2,844

70V7599S166DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.6ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 208-BFQFP
공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)

재고 있음8,442

70V7599S200BC

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.4ns
전압-공급: 3.15V ~ 3.45V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음2,394

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