메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS49RL36160-093BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,986
IS49RL36160-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,356
IS49RL36160-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,250
IS49RL36160-107BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음5,022
IS49RL36160-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,410
IS49RL36160-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음269
IS49RL36160-107EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음5,724
IS49RL36160-125BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,214
IS49RL36160-125BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,660
IS49RL36160-125EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,668
IS49RL36160-125EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,928
IS61C1024-15JI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음2,034
IS61C1024AL-12HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I	재고 있음8,694
IS61C1024AL-12HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I	재고 있음6,678
IS61C1024AL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음3,454
IS61C1024AL-12JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음6,264
IS61C1024AL-12KI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음3,870
IS61C1024AL-12KI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음7,902
IS61C1024AL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음192
IS61C1024AL-12KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOJ	재고 있음3,544
IS61C1024AL-12TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음3,096
IS61C1024AL-12TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음2,232
IS61C1024AL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음7,269
IS61C1024AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음7,200
IS61C25616AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음8,730
IS61C25616AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음7,038
IS61C25616AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6
IS61C25616AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,004
IS61C25616AS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,112
IS61C25616AS-25TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,658

IS49RL36160-093BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,986

IS49RL36160-093EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,356

IS49RL36160-093EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,250

IS49RL36160-107BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음5,022

IS49RL36160-107BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,410

IS49RL36160-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음269

IS49RL36160-107EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음5,724

IS49RL36160-125BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,214

IS49RL36160-125BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,660

IS49RL36160-125EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,668

IS49RL36160-125EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,928

IS61C1024-15JI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음2,034

IS61C1024AL-12HLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I

재고 있음8,694

IS61C1024AL-12HLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I

재고 있음6,678

IS61C1024AL-12JLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음3,454

IS61C1024AL-12JLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음6,264

IS61C1024AL-12KI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음3,870

IS61C1024AL-12KI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음7,902

IS61C1024AL-12KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음192

IS61C1024AL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOJ

재고 있음3,544

IS61C1024AL-12TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음3,096

IS61C1024AL-12TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음2,232

IS61C1024AL-12TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음7,269

IS61C1024AL-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음7,200

IS61C25616AL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음8,730

IS61C25616AL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음7,038

IS61C25616AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음6

IS61C25616AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,004

IS61C25616AS-25TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음8,112

IS61C25616AS-25TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음8,658

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