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메모리 IC

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설명
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IS49RL36160-093BLI
IS49RL36160-093BLI

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기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 1.066GHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음4,986
IS49RL36160-093EBL
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 1.066GHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음4,356
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 1.066GHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음2,250
IS49RL36160-107BL
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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재고 있음5,022
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
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재고 있음4,410
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
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  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음269
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
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  • 패키지 / 케이스: 168-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음5,724
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
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  • 시계 주파수: 800MHz
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  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음2,214
IS49RL36160-125BLI
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
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  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음6,660
IS49RL36160-125EBL
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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음7,668
IS49RL36160-125EBLI
IS49RL36160-125EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
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  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
재고 있음8,928
IS61C1024-15JI
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IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음2,034
IS61C1024AL-12HLI
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IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I
재고 있음8,694
IS61C1024AL-12HLI-TR
IS61C1024AL-12HLI-TR

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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I
재고 있음6,678
IS61C1024AL-12JLI
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IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음3,454
IS61C1024AL-12JLI-TR
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음6,264
IS61C1024AL-12KI
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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음3,870
IS61C1024AL-12KI-TR
IS61C1024AL-12KI-TR

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기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음7,902
IS61C1024AL-12KLI
IS61C1024AL-12KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음192
IS61C1024AL-12KLI-TR
IS61C1024AL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-SOJ
재고 있음3,544
IS61C1024AL-12TI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음3,096
IS61C1024AL-12TI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음2,232
IS61C1024AL-12TLI
IS61C1024AL-12TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음7,269
IS61C1024AL-12TLI-TR
IS61C1024AL-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음7,200
IS61C25616AL-10KLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-SOJ
재고 있음8,730
IS61C25616AL-10KLI-TR
IS61C25616AL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-SOJ
재고 있음7,038
IS61C25616AL-10TLI
IS61C25616AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6
IS61C25616AL-10TLI-TR
IS61C25616AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,004
IS61C25616AS-25TLI
IS61C25616AS-25TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,112
IS61C25616AS-25TLI-TR
IS61C25616AS-25TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,658