메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61LV12824-10BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,678
IS61LV12824-10BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,006
IS61LV12824-10B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,038
IS61LV12824-10TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,508
IS61LV12824-10TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음4,284
IS61LV12824-10TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음4,806
IS61LV12824-10TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,858
IS61LV12824-10TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음4,914
IS61LV12824-10TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,762
IS61LV12824-8BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.63V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,276
IS61LV12824-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,578
IS61LV12824-8TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음8,496
IS61LV12824-8TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns 접근 시간: 8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,418
IS61LV256-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I	재고 있음5,454
IS61LV256-15TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I	재고 있음8,928
IS61LV25616AL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)	재고 있음6,660
IS61LV25616AL-10BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)	재고 있음4,770
IS61LV25616AL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)	재고 있음1,448
IS61LV25616AL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)	재고 있음8,766
IS61LV25616AL-10K ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음7,740
IS61LV25616AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음3,580
IS61LV25616AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음3,114
IS61LV25616AL-10K-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SOJ	재고 있음6,894
IS61LV25616AL-10LQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LQFP 공급자 장치 패키지: 44-LQFP (10x10)	재고 있음4,176
IS61LV25616AL-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,070
IS61LV25616AL-10TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,544
IS61LV25616AL-10TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,464
IS61LV25616AL-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음26,614
IS61LV25616AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음15,831
IS61LV25616AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns 접근 시간: 10ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,246

IS61LV12824-10BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음6,678

IS61LV12824-10BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,006

IS61LV12824-10B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,038

IS61LV12824-10TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음3,508

IS61LV12824-10TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음4,284

IS61LV12824-10TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음4,806

IS61LV12824-10TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음6,858

IS61LV12824-10TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음4,914

IS61LV12824-10TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음3,762

IS61LV12824-8BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.63V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,276

IS61LV12824-8BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,578

IS61LV12824-8TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음8,496

IS61LV12824-8TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 3Mb (128K x 24)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns
접근 시간: 8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음3,418

IS61LV256-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP I

재고 있음5,454

IS61LV256-15TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-TSOP I

재고 있음8,928

IS61LV25616AL-10BI

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IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)

재고 있음6,660

IS61LV25616AL-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)

재고 있음4,770

IS61LV25616AL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)

재고 있음1,448

IS61LV25616AL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (8x10)

재고 있음8,766

IS61LV25616AL-10K

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음7,740

IS61LV25616AL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음3,580

IS61LV25616AL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음3,114

IS61LV25616AL-10K-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SOJ

재고 있음6,894

IS61LV25616AL-10LQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-LQFP
공급자 장치 패키지: 44-LQFP (10x10)

재고 있음4,176

IS61LV25616AL-10T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,070

IS61LV25616AL-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,544

IS61LV25616AL-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음4,464

IS61LV25616AL-10TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음26,614

IS61LV25616AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음15,831

IS61LV25616AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
접근 시간: 10ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

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