메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS62WV5128EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)	재고 있음8,874
IS62WV5128EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음10,128
IS62WV5128EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-TFBGA 공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)	재고 있음3,042
IS62WV5128EBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음53,034
IS62WV5128EBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I	재고 있음2,628
IS62WV5128EBLL-45T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음8,676
IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음2,898
IS62WV5128EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)	재고 있음6,192
IS62WV5128EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)	재고 있음5,868
IS62WV6416ALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음6,714
IS62WV6416ALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음6,858
IS62WV6416ALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음7,326
IS62WV6416ALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 2.2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음2,322
IS62WV6416BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음3,816
IS62WV6416BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음5,616
IS62WV6416BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,394
IS62WV6416BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,754
IS62WV6416BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음16,997
IS62WV6416BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음8,280
IS62WV6416DBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음4,446
IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음7,614
IS62WV6416DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음4,122
IS62WV6416DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)	재고 있음3,672
IS62WV6416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음2,592
IS62WV6416DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,086
IS62WVS0648FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,416
IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,574
IS62WVS1288FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,150
IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,202
IS62WVS2568FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,366

IS62WV5128EALL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)

재고 있음8,874

IS62WV5128EBLL-45BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음10,128

IS62WV5128EBLL-45BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-TFBGA
공급자 장치 패키지: 36-TFBGA (6x8)

재고 있음3,042

IS62WV5128EBLL-45HLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음53,034

IS62WV5128EBLL-45HLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I

재고 있음2,628

IS62WV5128EBLL-45T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음8,676

IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음2,898

IS62WV5128EBLL-45TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)

재고 있음6,192

IS62WV5128EBLL-45TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4M PARALLEL

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP I (8x18.4)

재고 있음5,868

IS62WV6416ALL-55BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음6,714

IS62WV6416ALL-55BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음6,858

IS62WV6416ALL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음7,326

IS62WV6416ALL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 2.2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음2,322

IS62WV6416BLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음3,816

IS62WV6416BLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음5,616

IS62WV6416BLL-55TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,394

IS62WV6416BLL-55TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,754

IS62WV6416BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음16,997

IS62WV6416BLL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음8,280

IS62WV6416DBLL-45B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음4,446

IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음7,614

IS62WV6416DBLL-45BLI

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IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음4,122

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR

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IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-miniBGA (6x8)

재고 있음3,672

IS62WV6416DBLL-45TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음2,592

IS62WV6416DBLL-45TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음4,086

IS62WVS0648FBLL-20NLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,416

IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,574

IS62WVS1288FBLL-20NLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,150

IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,202

IS62WVS2568FBLL-20NLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,366

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